|
Определение критического тока соленоида
|
23/10/12 |
Имеется график зависимости тока на аноде от тока на соленоиде. Стоит задача узнать критический ток. В интернете по-разному выбирают точки на графике для рассчета критического тока: в центре самого крутого спада, в низу самого крутого спада, по касательной от самого крутого спада. Как верно? http://img.findpatent.ru/img_data/88/881353.gif
|
|
|
nestoronij |
Re: Определение критического тока соленоида
|
09/02/12 |
Это точка пересечения двух касательных. Но в методе магнетрона Ваш график (первый) не совсем верный. При увеличении тока соленоида горизонтального участка не получится. Во всяком случае в нашей установке такого не наблюдалось. Вот рис.3 , то что должно быть. Но касательная к верхней части кривой и спаду.
|
|
|
Модераторы: photon, whiterussian, profrotter, Jnrty, Aer, Парджеттер, Eule_A, Супермодераторы
Для
определения удельного заряда электрона
используется двух- электродная лампа,
включенная по схеме, данной на рис.
4.3.а.
Лампа
помещена в центральную часть соленоида,
схема включения которого приведена на
рис.4.3.б. Ток в цепи соленоида устанавливают
с помощью реостата Rс.
а) |
б) |
Рис.4.3 |
Реостатом
Ra
поддерживается постоянное анодное
напряжение Uа.
Анодный ток измеряется миллиамперметром
mA. Для определения критического тока
Iс
кр
снимают график зависимости анодного
тока Ia
от тока в соленоиде Iс,
экспериментальные кривые Ia
=
Ia
(Ic)
не будут делать вертикаль-
Рис.4.4 |
ного |
мости
от Ic
(эта зависимость показана пунктиром
на рис.4.4). Вместо графического
дифференцирования можно ограничиться
нахождением точки на графике Iа
= Iа
(Iс),
в которой касательная имеет максимальный
наклон (это делается с помощью линейки).
Соответствующее значение Ic
и будет критическим.
-
Выполнение
работы и обработка результатов
-
Включить
схему, собранную согласно рис.4.3, в сеть
220 В. -
После
3 минут прогрева катода установить одно
из рекомендованных значений анодного
напряжения Uа. -
Увеличивая
ток в цепи соленоида ступенями по 0,1 А.
Записать для каждого значения силы
тока соленоида Ic
соответствующее
значение анодного
тока
Iа.
При этом анодное напряжение следует
поддерживать постоянным. -
Опыт
повторить для трех анодных напряжений
(указывает преподаватель). -
По
результатам опыта для каждого Uа
на миллиметровой бумаге построить
график зависимости анодного тока от
тока в соленоиде (на одном рисунке). -
Из
графиков найти критический ток Iс
кр
в соленоиде для каждого значения Uа,
затем по формуле (4.7) вычислить е/m. Из
трех значений для е/m взять среднее
арифметическое. -
Оценить
погрешность вычислений. -
Используя
табличные данные для заряда и массы
электрона, рассчитать величину удельного
заряда электрона. Сравнить с
экспериментально полученной величиной
е/m.
-
Контрольные
вопросы
-
Что
называют удельным зарядом электрона? -
Какие
силы действуют на электрон при его
движении между электродами лампы? Чему
они равны и как направлены? -
По
какой траектории движется электрон
при наличии Е и В. -
Что
такое критическое поле Вкр
и критический ток Ic
кр? -
Как
определяется е/m электрона в данной
работе? -
Почему
спад на кривой зависимости Iа
от Iс
получается не в виде ступеньки, а
размытым?
Литература.
[1, §§18.1; 2, §§ 37; 3, §§ 72-74].
-
ИЗУЧЕНИЕ
ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ФЕРРОМАГНЕТИКОВ
Цель
работы:
изучение зависимости магнитной индукции
B в веществе от напряженности H внешнего
магнитного поля. Определение зависимости
магнитной проницаемости m от напряженности
магнитного поля Н. Определение коэрцитивной
силы и остаточной индукции.
Приборы
и принадлежности:
ферритовый тороид, осциллограф, генератор
синусоидальных сигналов, цифровой
вольтметр, амперметр, резисторы,
конденсатор.
-
Теоретические
сведения
Движение
электронов по замкнутой орбите
эквивалентно круговому току I = e ν, где
е — заряд электрона, а ν — частота обращения
электрона. При этом модуль орбитального
магнитного момента электрона (см. формулы
(7)…(9))
Рm
орб
= е ν π r2
(5.1)
Модуль
момента импульса электрона, движущегося
по круговой орбите (см. рис.5.1),
Lорб
=
m
r
υ
= m
2
π ν r2.
(5.2)
Рис.5.1 |
Сравнивая
Кроме |
, (5.4)
что
в два раза превышает аналогичное
отношение (5.3) для орбитальных моментов.
В настоящее время установлено, что
именно собственные магнитные моменты
электронов ответственны за магнитные
свойства многих веществ и, в частности,
ферромагнетиков.
Общий
магнитный момент атома
равен
сумме орбитальных и собственных магнитных
моментов его электронов. Пусть ∆V —
небольшой объем пространства, заполненного
веществом.
Величину
,
(5.5)
где
в числителе стоит сумма всех атомных
магнитных моментов в объеме DV, называют
намагниченностью
вещества.
Таким образом,
представляет собой магнитный момент
единицы объема.
Вектор
(5.6)
называют
напряженностью
магнитного поля.
Для изотропных магнетиков
,
(5.7)
где
χ — коэффициент, зависящий от рода
вещества. Его называют магнитной
восприимчивостью.
Вектор .
(5.8)
Коэффициент
μ= 1 + χ называют магнитной
проницаемостью вещества.
Вещества, для которых χ < 0 (μ<1), называют
диамагнетиками.
Вещества, для которых χ > 0 (μ>1), называют
парамагнетиками.
Среди парамагнетиков выделяют класс
веществ, называемых ферромагнетиками,
для которых: 1) χ (μ) может значительно
превышать единицу и 2) χ
и
μ зависят от H.
Ферромагнетикам
свойственно явление
гистерезиса.
Оно заключается в том, что J зависит не
только от H в данный момент, но и от того,
как изменилась H в предшествующие моменты
времени. Следовательно, для ферромагнетиков
J не является однозначной функцией H.
В
ферромагнетике имеются микрообласти,
в которых все атомные моменты параллельны
друг другу даже в отсутствие внешнего
магнитного поля. Эти области называют
доменами.
Если
ферромагнетик поместить в магнитное
поле, интенсивность которого постепенно
возрастает, то его намагниченность
можно довести до насыщения (точка А на
рис.5.2) и зависимость
от
(кривая намагничива-
Рис.5.2 |
ния) Аналогичная |
Рис.5.3 |
лена
на рис.5.3. Величина Вост
называется остаточной
индукцией.
Площадь петли гистерезиса на рис.5.3
пропорциональна количеству теплоты,
выделяющемуся в единице объема
ферромагнетика за один цикл перемагничивания.
-
Описание
установки и метода измерений
Схема
установки показана на рис.5.4. Исследуемым
образцом является ферритовый тороид
Т, на который равномерно намотаны две
об- мотки 1 и 2 с числом витков N1
и N2
соответственно. Последователь- но с
намагничивающей обмоткой 1 включен
резистор r1,
сопротивление которого равно R1,
и миллиамперметр mА. Напряжение с
сопротивления R1
подается на горизонтальный вход X
осциллографа. Это напряжение
пропорционально
Рис.5.4 |
напряженности
поля катушки 1, так как через обмотку 1
и резистор r1
течет один и тот же ток. Следовательно,
и отклонение луча по горизонтали
пропорционально Н.
Для
тороида Н = n I, где I — сила тока в тороиде,
n — число витков на 1 м тороида (плотность
витков).
Миллиамперметр
показывает эффективное значение тока
Iэф.
Амплитуда переменного тока.
Таким образом, для амплитуды намагничивающего
поля имеем:
, (5.9)
где
Lср—
средняя длина тороида, а
—
плотность витков обмотки 1.
На
вертикальный вход У осциллографа
подается напряжение U с конденсатора
С. Пренебрегая падением напряжения на
вторичной обмотке 2, имеем (по закону
Ома): ε = R2J2
— Uс
где ε- ЭДС индукции, возникающая в обмотке
2, R2
— сопротивление резистора r2,
Uс
— напряжение на конденсаторе С. Если R2
и С так велики, что R2J2
»
Uc,
то
, (5.10)
где
N2
— число витков обмотки 2, а S — площадь
сечения тороида.
Учитывая
выражение (5.10), получаем:
, (5.11)
или
. (5.12)
Таким
образом, отклонение электронного луча
по оси У (по верти- кали на экране
осциллографа) будет пропорционально
величине В (в каждый момент времени).
Напомним, что отклонение луча по
горизонтальной оси х пропорционально
Н.
За
полный цикл изменения Н луч описывает
на экране осциллографа петлю гистерезиса
(рис.5.3):
В
= f(Н).
-
Задание
и отчетность
-
Собрать
схему согласно рис.5.3 (все ручки на
приборах находятся в положениях,
отмеченных красными точками !). -
Изменяя
ток I эф
в намагничивающей обмотке поворотом
ручки «Рег. выхода» генератора
низкочастотных сигналов, измерить
напряжение на конденсаторе Uс
эф
универсальным вольтметром В7-16, выбирая
пределы измерения и интервалы величин
согласно таблице, имеющейся на рабочем
месте. -
Результаты
измерений Iэф
и Uс
эф
записать в таблицу. -
Для
каждого значения Iэф
определить Но
и Во
по формулам (5.9) и (5.12) соответственно.
Построить основную кривую Во
= f(Нo)
(участок ОА на рис.5.3). -
Для
каждого Но
определить μ по формуле
и построить график μ=f(H)
-
Дополнительное
задание
Определить
коэрцитивную силу Нс
и остаточную индукцию Вr,
установив для этого максимальную
величину I2
= 40 мА.
-
Определить
по осциллографу число делений,
соответствующее коэрцитивной силе Нс
(отрезок
ОНс
на рис.5.3), и умножить его на цену деления
Сн
(указана на передней панели прибора).
Так рассчитывается напряжение U1с.
Коэрцитивную
силу вычислить по формуле
-
Определить
по осциллографу число делений,
соответствующее остаточной индукции
Вr
(отрезок ОВr
на рис.5.3), и умножить его на цену деления
Св
(значение Св
определяется по положению большой
ручки переключателя «Вольт/дел.»).
Тем самым Вы найдете Uсr.
Остаточную индукцию определить по
формуле
|
Критическое магнитное поле и критический ток |